Показать сокращенную информацию
| dc.contributor.author | Обухов, И. А. | |
| dc.contributor.author | Obukhov, I. A. | |
| dc.date.accessioned | 2025-03-21T05:56:49Z | |
| dc.date.available | 2025-03-21T05:56:49Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Сверхбыстродействующая электроника с низким энергопотреблением | ru, en_US, uk |
| dc.identifier.uri | http://lib.sevsu.ru/xmlui/handle/123456789/11739 | |
| dc.description.abstract | Рассмотрены современное состояние и перспективы развития компонентной базы сверхбыстродействующей электроники с низким энергопотреблением. Предложены подходы к проектированию и конструкции твердотельных электронных приборов на основе нанопроводов, которые могут быть использованы в будущей цифровой электронике. Представлены оценки ожидаемых характеристик этих приборов. | ru, en_US, uk |
| dc.publisher | Издательство Севастопольского государственного университета | ru, en_US, uk |
| dc.subject | нанопровод | ru, en_US, uk |
| dc.subject | полевой транзистор | ru, en_US, uk |
| dc.subject | релаксационный квантовый транзистор | ru, en_US, uk |
| dc.subject | антимонид индия (InSb) | ru, en_US, uk |
| dc.subject | арсенид индия (InAs) | ru, en_US, uk |
| dc.subject | цифровая электроника | ru, en_US, uk |
| dc.subject | терагерцовый диапазон | ru, en_US, uk |
| dc.title | Сверхбыстродействующая электроника с низким энергопотреблением [Ultra-High-Speed Low-Power Electronics] | ru, en_US, uk |