Аннотации:
Показано, что в полупроводниковых структурах с пониженной
квантовой размерностью можно получать требуемый потенциальный рельеф
для квазичастиц путем изменения размеров элементов структуры. На примере
резонансно-туннельного диода, сформированного из планарных нанопроводов
различного поперечного сечения и длины, продемонстрировано, как такие изме-
нения влияют на потенциал для электронов и на электрические характеристики
прибора. В основе рассмотренного подхода лежит эффект размерного кванто-
вания энергии квазичастиц в твердых телах.