Параметры фотопроводящего полупроводникового коммутатора при работе на пониженное сопротивление [Parameters of a Photoconductive Semiconductor Switch when Operating at Low Resistance]

Abstract

Выполнено измерение выходных характеристик при работе фотопроводящего полупроводникового коммутатора на основе GaAs с большим усилением и рабочим напряжением до 32 кВ на нагрузку величиной 50 Ом, 25 Ом, 4,3 Ом и 42 мОм. В экспериментах на коммутатор приложено напряжение смещения 10 кВ при облучении его лазерным излучением с длиной волны 355 нм и оптической энергией 25 мкДж. Коммутатор облучался лазером с искаженным линзой автографом в виде тонкого эллипса шиной около 300 мкм и длиной 14 мм. В ходе экспериментов получены импульсы от коммутатора с током 56, 71, 106 А, на нагрузках 50, 24,8 и 4,3 Ом соответственно, что соответствует разряду коаксиальной линии на нагрузку с дополнительным внутренним сопротивлением коммутатора. В случае работы на нагрузку 42 мОм или на короткозамкнутый участок коаксиальной линии был получен сигнал биполярный формы, равный длительности разряда коаксиальной (формирующей) линии что позволяет сделать предположение о возможности применения коммутатора в качестве ключа в составе СВЧ-компрессора.