Зависимость электрических характеристик релаксационного квантового транзистора от размеров его областей [Dependence of the Relaxation Quantum Transistor Electrical Characteristics from the Sizes of its Regions]

Abstract

Рассчитаны статические характеристики релаксационного квантового транзистора, сформированного из нанопроводов антимонида индия. Показано, что варьируя геометрические размеры областей структуры можно целенаправленно изменять электрические характеристики прибора. Согласно сделанным оценкам, транзистор может функционировать в терагерцовом диапазоне частот. Расчетное энергопотребление прибора в режиме отсечки составляет несколько пВт, а в активном режиме и режиме насыщения — менее 50 нВт. Отношение сил токов при этом около 10–5. Полученные результаты указывают на возможность применения релаксационного квантового транзистора в качестве базового элемента сверхбыстродействующих цифровых схем с низким энергопотреблением.