НЕРАЗРУШАЮЩИЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ " ГОРЯЧИХ" ОБЛАСТЕЙ В СТРУКТУРЕ ТРАНЗИСТОРА

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2008 (Выпуск 93)
→
Просмотр элемента

НЕРАЗРУШАЮЩИЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ " ГОРЯЧИХ" ОБЛАСТЕЙ В СТРУКТУРЕ ТРАНЗИСТОРА

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/129

Дата: 2008

Аннотации:

Проведен анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Представлены результаты экспериментальных исследований с обоснованием метода проведения неразрушающих испытаний.