ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2010 (Выпуск 101)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Капранов, И.Ю., Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-10-08T12:06:22Z
dc.date.available	2010-10-08T12:06:22Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2010.-Вып.101.-С.85-89	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/2202
dc.description	Радіоелектроніка і зв'язок	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Проведен анализ и рассмотрены виды областей безопасной работы биполярного транзистора с изолированным затвором. Сформулирована целесообразность контроля области безопасной работы при выключении и коротком замыкании, как наиболее жестких режимах работы транзистора.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.subject	биполярный транзистор с изолированным затвором	en_US, ru, uk
dc.subject	область безопасной работы	en_US, ru, uk
dc.subject	переходной процесс	en_US, ru, uk
dc.subject	короткое замыкание	en_US, ru, uk
dc.title	ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ	en_US, ru, uk