ОСОБЕННОСТИ ВЫБОРА ТРАНЗИСТОРОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЯХ

Плотников, В.В., Севастопольский национальный технический университет; Вертегел, В.В., доцент, канд. техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Калабухов, Д.Ю., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2010 (Выпуск 101)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Вертегел, В.В., доцент, канд. техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Плотников, В.В., Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Калабухов, Д.Ю., Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-10-08T12:10:58Z
dc.date.available	2010-10-08T12:10:58Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2010.-Вып.101.-С.90-94	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/2204
dc.description	Радіоелектроніка і зв'язок	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	В работе рассматриваются вопросы, связанные с выбором транзисторов для интегральных малошумящих усилителей. Приведены условия согласования малошумящего усилителя с источником сигнала, а также результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора. Проведено сравнение двух каскодных усилителей, построенных на разных типах транзисторов.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.subject	малошумящий усилитель	en_US, ru, uk
dc.subject	коэффициент шума	en_US, ru, uk
dc.subject	биполярный транзистор	en_US, ru, uk
dc.subject	МОП транзистор	en_US, ru, uk
dc.subject	моделирование характеристик	en_US, ru, uk
dc.title	ОСОБЕННОСТИ ВЫБОРА ТРАНЗИСТОРОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЯХ	en_US, ru, uk