ОБЛАСТЬ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТО РА С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ В КОЛЛЕКТОРЕ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2004 (Выпуск 60)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-04-08T08:59:17Z
dc.date.available	2010-04-08T08:59:17Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Вып.60.- С.	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/905
dc.description	Радиоэлектроника	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Проведен анализ и экспериментальные исследования по расширению области безопасной работы (ОБР) мощных биполярных транзисторов. С этой целью в структуру коллектора биполярного транзистора вводится объемный делительный слой. Результаты экспериментальных исследований показали, что применение объемного делительного слоя наряду с другими конструктивными методами повышения предельных характеристик, позволяет использовать преимущества каждого из них и получить транзистор с максимальной площадью ОБР.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.title	ОБЛАСТЬ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТО РА С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ В КОЛЛЕКТОРЕ	en_US, ru, uk