ОБЛАСТЬ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ В КОЛЛЕКТОРЕ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2004 (Выпуск 60)
→
Просмотр элемента

ОБЛАСТЬ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ В КОЛЛЕКТОРЕ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/939

Дата: 2004

Аннотации:

Проведен анализ и экспериментальные исследования по расширению области безопасной работы (ОБР) мощных биполярных транзисторов. С этой целью в структуру коллектора биполярного транзистора вводится объемный делительный слой. Результаты экспериментальных исследований показали, что применение объемного делительного слоя наряду с другими конструктивными методами повышения предельных характеристик, позволяет использовать преимущества каждого из них и получить транзистор с максимальной площадью ОБР.