Некоторые особенности резонансно-туннельного диода на основе нанопроводов [Some Features of Resonant-Tunneling Diode Based on Nanowires]

Abstract

Проанализированы особенности электрических характеристик резонансно-туннельного диода, сформированного из планарных нанопроводов из антимонида индия. Показано, что в таком приборе интерференция электронных волн помимо резонансного туннелирования может проявляться в колебаниях концентрации электронов и электрического заряда. Это явление может наблюдаться при комнатной температуре, что делает его перспективным для использования в квантовых вычислениях.