Некоторые особенности резонансно-туннельного диода на основе нанопроводов [Some Features of Resonant-Tunneling Diode Based on Nanowires]

Обухов, И. А.; Obukhov, I. A.

Главная
→
.Печатные издания СевГУ
→
Научные журналы
→
«Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии»
→
2025
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Обухов, И. А.
dc.contributor.author	Obukhov, I. A.
dc.date.accessioned	2025-05-28T08:01:32Z
dc.date.available	2025-05-28T08:01:32Z
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Некоторые особенности резонансно-туннельного диода на основе нанопроводов [Some Features of Resonant-Tunneling Diode Based on Nanowires]	ru, en_US, uk
dc.identifier.uri	http://lib.sevsu.ru/xmlui/handle/123456789/11836
dc.description.abstract	Проанализированы особенности электрических характеристик резонансно-туннельного диода, сформированного из планарных нанопроводов из антимонида индия. Показано, что в таком приборе интерференция электронных волн помимо резонансного туннелирования может проявляться в колебаниях концентрации электронов и электрического заряда. Это явление может наблюдаться при комнатной температуре, что делает его перспективным для использования в квантовых вычислениях.	ru, en_US, uk
dc.publisher	Издательство Севастопольского государственного университета	ru, en_US, uk
dc.subject	резонансное туннелирование	ru, en_US, uk
dc.subject	нанопровод	ru, en_US, uk
dc.subject	антимонид индия (InSb)	ru, en_US, uk
dc.subject	интерференция электронных волн	ru, en_US, uk
dc.subject	квантовые вычисления	ru, en_US, uk
dc.title	Некоторые особенности резонансно-туннельного диода на основе нанопроводов [Some Features of Resonant-Tunneling Diode Based on Nanowires]	ru, en_US, uk