JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
СТЕНД НЕРАЗРУШАЮЩИХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ
Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., Севастопольский национальный технический университет
Проведен анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработан
макет для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Представлены
результаты контроля партии транзисторов.
