СТЕНД НЕРАЗРУШАЮЩИХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2010 (Выпуск 101)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Капранов, И.Ю., Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-10-08T12:01:31Z
dc.date.available	2010-10-08T12:01:31Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2010.-Вып.101.-С.80-84	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/2200
dc.description	Радіоелектроніка і зв'язок	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Проведен анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработан макет для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Представлены результаты контроля партии транзисторов.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.subject	надежность	en_US, ru, uk
dc.subject	вторичный пробой	en_US, ru, uk
dc.subject	биполярный транзистор	en_US, ru, uk
dc.subject	неразрушающий тест	en_US, ru, uk
dc.title	СТЕНД НЕРАЗРУШАЮЩИХ ИСПЫТАНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ	en_US, ru, uk