ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2011 (Выпуск 114)
→
Просмотр элемента

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/3356

Дата: 2011

Аннотации:

В статье рассмотрены механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Рассмотрены существующие методы тестирования IGBT приборов и сформулированы требования к неразрушающему методу контроля.

Показать полную информацию