ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2011 (Выпуск 114)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Капранов, И.Ю., аспирант, Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2011-08-10T08:41:46Z
dc.date.available	2011-08-10T08:41:46Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2011.- Вып. 114:Информатика, электроника, связь. - С.172-177	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/3356
dc.description.abstract	В статье рассмотрены механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Рассмотрены существующие методы тестирования IGBT приборов и сформулированы требования к неразрушающему методу контроля.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.subject	биполярный транзистор с изолированным затвором	en_US, ru, uk
dc.subject	биполярный транзистор с изолированным затвором	en_US, ru, uk
dc.subject	короткое замыкание нагрузки	en_US, ru, uk
dc.subject	область безопасной работы	en_US, ru, uk
dc.subject	область безопасной работы	en_US, ru, uk
dc.title	ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ	en_US, ru, uk