ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

Темнов, С.А., Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет; Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2002 (Выпуск 41)
→
Просмотр элемента

ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет; Темнов, С.А., Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/771

Дата: 2002

Аннотации:

Предложена структура импульсного диода на основе барьера Шоттки с объемным делительным слоем. Проведенный расчет показал возможность реализации диодов с пробивным напряжением, аналогичным металлургическому pn переходу.