ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

dc.contributor.author	Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Темнов, С.А., Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-04-06T07:16:19Z
dc.date.available	2010-04-06T07:16:19Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Вып.41.- С.60-65	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/771
dc.description	Полупроводниковые приборы	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Предложена структура импульсного диода на основе барьера Шоттки с объемным делительным слоем. Проведенный расчет показал возможность реализации диодов с пробивным напряжением, аналогичным металлургическому pn переходу.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.title	ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ	en_US, ru, uk
dc.type	Book chapter	en_US, ru, uk