ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2004 (Выпуск 60)
→
Просмотр элемента

ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/954

Дата: 2004

Аннотации:

Проведен анализ и экспериментальные исследования особенностей взаимодействия альфа – частиц с полупроводником для повышения быстродействия транзисторных структур. Результаты экспериментальных исследований показали, что введение в технологический процесс производства мощных биполярных транзисторов радиационно-термической обработки пластин α-частицами позволило обеспечить двукратный запас по быстродействию.