ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ

Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет; Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет; Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2004 (Выпуск 60)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., проф., д-р техн. наук, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Мурзин, Д.Г., ст. преподаватель, Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Владыко, Е.Ю., магистр, Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-04-09T09:29:10Z
dc.date.available	2010-04-09T09:29:10Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Вып.60.- С.187-193	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/954
dc.description	Радиотехника	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Проведен анализ и экспериментальные исследования особенностей взаимодействия альфа – частиц с полупроводником для повышения быстродействия транзисторных структур. Результаты экспериментальных исследований показали, что введение в технологический процесс производства мощных биполярных транзисторов радиационно-термической обработки пластин α-частицами позволило обеспечить двукратный запас по быстродействию.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.title	ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ	en_US, ru, uk