Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет; Темнов, С.А.; Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет
(Севастопольский национальный технический университет, 2000)
Проведен анализ глубины залегания антиумножительного слоя в структуре
биполярного транзистора. Результаты анализа и экспериментальных исследова-
ний показали возможность повышения предельного напряжения транзистора ...