ПОВЫШЕНИЕ ПРЕДЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С АНТИУМНОЖИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет; Темнов, С.А.; Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2000 (Выпуск 31)
→
Просмотр элемента

ПОВЫШЕНИЕ ПРЕДЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С АНТИУМНОЖИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет; Темнов, С.А.; Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет

URI: http://hdl.handle.net/123456789/876

Дата: 2000

Аннотации:

Проведен анализ глубины залегания антиумножительного слоя в структуре биполярного транзистора. Результаты анализа и экспериментальных исследова- ний показали возможность повышения предельного напряжения транзистора в схеме с общим эмиттером до напряжения пробоя изолированного коллекторного перехода при сохранении малого напряжения открытого ключа.