ПОВЫШЕНИЕ ПРЕДЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С АНТИУМНОЖИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ

Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет; Темнов, С.А.; Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет

Главная
→
Вестник СевГТУ. Информатика, электроника, связь
→
2000 (Выпуск 31)
→
Просмотр элемента

dc.contributor.author	Гусев, В.А., Севастопольский национальный технический университет
dc.contributor.author	Темнов, С.А.
dc.contributor.author	Мурзин, Д.Г., Севастопольский национальный технический университет
dc.date.accessioned	2010-04-08T07:55:46Z
dc.date.available	2010-04-08T07:55:46Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Вестник СевГТУ.- Вып. 31.- С.59-63	en_US, ru, uk
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/876
dc.description	транзисторы	en_US, ru, uk
dc.description.abstract	Проведен анализ глубины залегания антиумножительного слоя в структуре биполярного транзистора. Результаты анализа и экспериментальных исследова- ний показали возможность повышения предельного напряжения транзистора в схеме с общим эмиттером до напряжения пробоя изолированного коллекторного перехода при сохранении малого напряжения открытого ключа.	en_US, ru, uk
dc.publisher	Севастопольский национальный технический университет	en_US, ru, uk
dc.title	ПОВЫШЕНИЕ ПРЕДЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С АНТИУМНОЖИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ	en_US, ru, uk
dc.type	Book chapter	en_US, ru, uk